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STB12NM60N-1	文件：591.63 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600V - 0.35廓 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET 文件：591.63 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB12NM60N-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK	ST 意法半导体	ST
STB20N95K5	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO263	ST 上传：深圳市励创源科技有限公司	ST
STB28N60M2	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	ST 上传：深圳市百纳智芯科技有限公司	ST
STB35N65DM2	文件：0 bytes Page：0 Pages	N/A	ST(意法半导体) 上传：深圳市美盛芯微电子有限公司	ST(意法半导体)

详细参数

型号：
STB12NM60N-1
功能描述：
MOSFET N Ch 1500V 2.5A Hi Vltg Pwr MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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