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SPN02N60S5	文件：10.54036 Mbytes Page：9 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPN02N60S5	文件：227.67 Kbytes Page：9 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP02N60S5	文件：306.41 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP02N60S5	文件：357.04 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP02N60S5	文件：1.09085 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPP02N60S5	文件：337.66 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitance •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤3Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformancean	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPU02N60S5	文件：1.90721 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPU02N60S5	文件：246.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-251(IPAK)packaging •Highspeedswitching •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •DC-DCconverters •Motorcontrol •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPU02N60S5	文件：888.41 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPU02N60S5	文件：251.9 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapp	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
SPD02N60S5T
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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