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SPD06N60C3	文件：336.42 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.75Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPD06N60C3	文件：411.35 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOS Power Transistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Highpeakcurrentcapability •Ultraloweffectivecapacitances •Extremedv/dtrated •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;RoHScompliant availableinHalogenfreem	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD06N60C3	文件：642.41 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSTM Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD06N60C3	文件：401.49 Kbytes Page：11 Pages	Ultra low gate charge	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD06N60C3_08	文件：642.41 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSTM Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD06N60C3_14	文件：401.49 Kbytes Page：11 Pages	Ultra low gate charge	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
ISPD06N60C3	文件：336.42 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.75Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISPP06N60C3	文件：339.24 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.75Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPA06N60C3	文件：260.769 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220Fpackage •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •Reducedswitchingandconductionlosses •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplica	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPA06N60C3	文件：202.31 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor CoolMOSPowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Highpeakcurrentcapability •Ultraloweffectivecapacitances •Extremedv/dtrated •Improvedtransconductance •Fullyisolatedpackag	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
SPD06N60C3
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 650V 6.2A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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