SPD07N60S5数据表ic资料供应商报价英飞凌-114ic电子网

首页 >SPD07N60S5>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
SPD07N60S5	文件：262.82 Kbytes Page：11 Pages	Cool MOS??Power Transistor CoolMOS™PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO-251andTO-252 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;RoHS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD07N60S5	文件：335.34 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
07N60S5	文件：2.123 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ISPD07N60S5	文件：335.34 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISPP07N60S5	文件：338.87 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPB07N60S5	文件：1.10801 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPB07N60S5	文件：189.04 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPB07N60S5	文件：108.07 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPB07N60S5	文件：332.37 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Optimizedcapacitances •Improvednoiseimmunity	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPB07N60S5	文件：652.3 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPDU07N60S5	文件：332.37 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Optimizedcapacitances •Improvednoiseimmunity	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPI07N60S5	文件：534.26 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPI07N60S5	文件：315.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPI07N60S5	文件：108.07 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPI07N60S5	文件：332.37 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Optimizedcapacitances •Improvednoiseimmunity	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP07N60S5	文件：108.07 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP07N60S5	文件：534.26 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP07N60S5	文件：338.87 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPP07N60S5	文件：332.37 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Optimizedcapacitances •Improvednoiseimmunity	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPPBI07N60S5	文件：332.37 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Optimizedcapacitances •Improvednoiseimmunity	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

12 >>>

详细参数

型号：
SPD07N60S5
功能描述：
MOSFET N-CH 600 V 7.3 A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	SPD07N60S5	Infineon(英飞凌)	23+	标准封装	9298	原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	SPD07N60S5	INFINEON/英飞凌	22+		5000	只做原装进口免费送样!!	询价
深圳市赛能新源半导体有限公司	SPD07N60S5	INFINEON/英飞凌	21+	TO-252	60000	原装正品进口现货	询价
深圳市特莱科技有限公司	SPD07N60S5	INFINEON/英飞凌	21+23+	TO-252	35000	16年电子元件现货供应商终端BOM表可配单提供样品	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	SPD07N60S5	INFINEON/英飞凌		TO252	7906200		询价
深圳市天芯威科技有限公司	SPD07N60S5	Infineon(英飞凌)	23+	TO-252	25900	新到现货,只有原装	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	SPD07N60S5	INFINEON	2017+		26589	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳市凌旭科技有限公司	SPD07N60S5	INFINEON	2016+	SOT-252	3500	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	SPD07N60S5	INFINEON	23+	TO-252	7936		询价
深圳市星佑电子有限公司	SPD07N60S5	INFINEON	05+	原厂原装	10482	只做全新原装真实现货供应	询价

更多SPD07N60S5供应商更新时间2024-5-1 9:38:00

详细参数

相关规格书

相关库存