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SPD04P10PL	文件：777.71 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode 文件：777.71 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPD04P10PLG	文件：463.13 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor 文件：463.13 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPD04P10PLG	文件：1.04763 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.04763 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPD04P10PLG	文件：777.71 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode 文件：777.71 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPD04P10PL G	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-250V P-Channel Power MOSFET 英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 小信号封装，经 AEC Q101 认证\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD04P10PLG	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	Infineon 英飞凌	Infineon

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