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SPD04P10PLG

SIPMOS짰 Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode

文件:777.71 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

SPD04P10PLG

SIPMOS짰 Power-Transistor

文件:463.13 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

SPD04P10PLG

P-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件:1.04763 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SPD04P10PLG

MOS(场效应管)

Infineon

英飞凌

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    100V

  • 栅源极阈值电压(最大值):

    2V @ 380uA

  • 漏源导通电阻(最大值):

    850 mΩ @ 3A,10V

  • 类型:

    P 沟道

  • 功率耗散(最大值):

    38W(Tc)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
25+
SMD
7525
场效应管/明嘉莱只做原装正品现货
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INFINEON/英飞凌
25+
TO-252
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INFINEON/英飞凌全新特价SPD04P10PLG即刻询购立享优惠#长期有货
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INFINEON/英飞凌
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SOT-252
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原装进口假一罚十
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INFINEON/英飞凌
24+
TO-252
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只做原厂渠道 可追溯货源
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Infineon(英飞凌)
24+
TO-252
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INFINEON
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NK/南科功率
2025+
TO-252
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国产南科平替供应大量
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英飞凌
24+
TO-252-2(DPAK)
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全新、原装
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INFINEON
24+
PG-TO252-3
8866
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INF
23+
TO-252
10000
原装正品,假一罚十
询价
更多SPD04P10PLG供应商 更新时间2025-10-6 11:01:00