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SPD02N80C3	文件：336.49 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤2.7Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPD02N80C3	文件：433.48 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOS Power Transistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD02N80C3	文件：281.12 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD02N80C3	文件：381.23 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTM Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD02N80C3_08	文件：281.12 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD02N80C3_13	文件：381.23 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTM Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
02N80C3	文件：1.87733 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ISPD02N80C3	文件：336.49 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤2.7Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPA02N80C3	文件：2.12116 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastSwitching •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPA02N80C3	文件：261.1 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220Fpackage •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Reducedswitchingandconductionlosses •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
SPD02N80C3
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 800V 2A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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