CoolMOS Power Transistor

Features • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC0) for target applications

文件：433.48 Kbytes 页数：11 Pages

Infineon

英飞凌

N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • High peak current capability • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤2.7Ω • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

文件：336.49 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology

文件：281.12 Kbytes 页数：10 Pages

Infineon

英飞凌

CoolMOSTM Power Transistor

文件：381.23 Kbytes 页数：10 Pages

Infineon

英飞凌

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET

CoolMOS™ P7替代CoolMOS™ C3 。\n 800V CoolMOS™ C3 是英飞凌第三个 CoolMOS™ 系列产品，于 2001 年上市。C3 是产品组合中的主力军。 特定导通电阻低（R DS（on）* A）\n • 输出电容为（E oss）@ 400V 时，能量储存非常低\n• 低栅极电荷(Qg)\n• 经过实践认证的 CoolMOS™ 质量\n• 自1998年以来，英飞凌就开始大规模开发CoolMOS™ 技术\n\n优势:\n• 高效率，高功率密度\n• 超高成本/性能比\n• 高可靠性\n• 使用方便\n ;

Infineon

英飞凌

CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology

文件：281.12 Kbytes 页数：10 Pages

Infineon

英飞凌

CoolMOSTM Power Transistor

文件：381.23 Kbytes 页数：10 Pages

Infineon

英飞凌