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04N80C3	文件：448.56 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTMPowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
ISPD04N80C3	文件：336.58 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤1.3Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISPP04N80C3	文件：339.44 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Highpeakcurrentcapability •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤1.3Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPA04N80C3	文件：189.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220Fpackaging •Highspeedswitching •Lowgateinputresistance •Standardlevelgatedrive •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •Switchingapplicati	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPA04N80C3	文件：428.88 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTMPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPA04N80C3	文件：250.47 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances CoolMOSTM800Vdesignedfor:	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPA04N80C3	文件：375.96 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTMPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD04N80C3	文件：336.58 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤1.3Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPD04N80C3	文件：394.99 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTMPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD04N80C3	文件：442.21 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
SPD04N80C3NT
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	SPD04N80C3NT	INFINEON	23+		8000	只做原装现货	询价
深圳庞田科技有限公司	SPD04N80C3中高压MOS管	INFINEON/英飞凌	2023+	TO-252	70000	AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	SPD04N80C4	INFINEON/英飞凌	23+	TO253	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市正纳电子有限公司	SPD04P10P	Infineon(英飞凌)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	SPD04P10P	INF	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	SPD04P10P	Infineon	TO252-3	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
中科国际电子(深圳)有限公司	SPD04P10P	Infineon(英飞凌)	22+	NA	7000	原厂原装现货	询价
深圳市赛特兴科技有限公司	SPD04P10P	Infineon(英飞凌)	23+	标准封装	7000	原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品	询价
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深圳市得捷芯城科技有限公司	SPD04P10P	INF	24+	NA/	8344	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价

更多SPD04N80C3NT供应商更新时间2025-5-3 15:00:00

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