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SI3430DV-T1

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

FEATURES • High-efficiency PWM optimized • 100 Rg tested • Material categorization:    for definitions of compliance please see    www.vishay.com/doc?99912

文件:64.69 Kbytes 页数:4 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI3430DV-T1

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:92.89 Kbytes 页数:5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI3430DV-T1-GE3

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

FEATURES • High-efficiency PWM optimized • 100 Rg tested • Material categorization:    for definitions of compliance please see    www.vishay.com/doc?99912

文件:181.54 Kbytes 页数:9 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI3430DV-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching

文件:1.86958 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI3430DV-T1-E3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件:239.03 Kbytes 页数:10 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI3430DV-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件:239.03 Kbytes 页数:10 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

详细参数

  • 型号:

    SI3430DV-T1

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 8A 2W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI3430DV-T1供应商 更新时间2026-2-3 13:00:00