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详细参数
- 型号：
SI3433BDV-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET 20V 4.3A 2W 17
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
SOT23-6 |
39477 |
VISHAY/威世全新特价SI3433BDV-T1-E3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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VISHAY |
23+ |
NA |
6800 |
只做原装正品现货 |
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VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
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VISHAY |
24+ |
SOT23-6 |
26200 |
原装现货,诚信经营! |
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VISHAY |
24+ |
SOT23-6 |
1850 |
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SILICONIX |
24+ |
TSOP-6 |
6010 |
只做原装正品 |
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VISHAY |
25+ |
TSOP6 |
200 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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VISHAY |
2016+ |
SOT23-6 |
6000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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VISHAY |
23+ |
TSOP-6 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
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VISHAY |
24+ |
TSOP-6 |
6232 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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更新时间2026-1-31 17:25:00
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