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SI3590DV-T1-E3

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Ultra low RDS(on) n- and p-channel for high efficiency • Optimized for high side / low side • Minimized conduction losses • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Portable devices inc

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SI3590DV-T1-E3

N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4010-C2-GSRIC

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详细参数

  • 型号:

    SI3590DV-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET N&P-CH 30V(D-S)

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI3590DV-T1-E3供应商 更新时间2025-10-3 16:36:00