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SI3447BDV-T1-E3

P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET: 1.8-V Rated • Ultra Low On-Resistance APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch  

文件:65.239 Kbytes 页数:5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

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SILICON LABS/芯科

上传:深圳庞田科技有限公司

SILICON LABS/芯科

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SKYWORKS SOLUTIONS

上传:天津市博通航睿技术有限公司

SKYWORKS SOLUTIONS

SI3500-A-GMIC

QFN

SILICON LABS/芯科

上传:深圳庞田科技有限公司

SILICON LABS/芯科

详细参数

  • 型号:

    SI3447BDV-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 12V 5.2A 2W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SI3447BDV-T1-E3供应商 更新时间2026-2-1 14:14:00