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VISHAYSOT-163

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VISHAY/SILICONIXSOT-163SOT-23-6

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VISHAY

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VISHAYSOT

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SI3812DV-T1-E3

SILICONIXTSSOP-8

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SI3812DV-T1-GE3

VISHAY/威世TSOP-6

20000

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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司

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SI3812DV-T1-E3

VISHAYSOT-163

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Vishay/Siliconix6-TSOP

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SI3812DVT1GE3

Vishay SiliconixSOT236 Thin TSOT236

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SI3812DV-T1-GE3

VISHAY-威世TSOP-6

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SI3812DV-T1-GE3

VISHAY/威世TSOP-6

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SI3812DV-T1-GE3

VISHAY原厂封装

9800

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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司

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SI3812DV-T1-GE3

VISHAYSOT26

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京海半导体(深圳)有限公司

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SI3812DV-T1-GE3

VBSOT-26

10000

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原装现货假一罚十

深圳市威雅利发展有限公司

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SI3812DV-T1

VISHAYSOT23-6

10

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SI3812DV-T1-GE3

VISHAYSOT26

11000

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深圳市佳鑫美电子科技有限公司

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SI3812DV-T1-E3

VISHAYTSOP-6

2987

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只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电!

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SI3812DV-T1-E3

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SI3812DVT1GE3

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SI3812DV-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 2.4A 1.15 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI3812DV-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 2.4A 1.15W 125mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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