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SI3590DV-T1-GE3	文件：282.61 Kbytes Page：13 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Ultra low RDS(on) n- and p-channel for high efficiency • Optimized for high side / low side • Minimized conduction losses • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Portable devices inc 文件：282.61 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI3590DV-T1-GE3	文件：598.37 Kbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：598.37 Kbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SI3590DV-T1-GE3	文件：232.4 Kbytes Page：13 Pages	N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：232.4 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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更多SI3590DV-T1-GE3供应商更新时间2026-2-3 14:14:00