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SI4286DY-T1-GE3	文件：259.86 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®GenIIIPowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter -ExternalHDD -NotebookSystem •LCDDisplayBackligh	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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SI4286DY-T1-GE3

文件：259.86 Kbytes

Page：10 Pages

Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®GenIIIPowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter -ExternalHDD -NotebookSystem •LCDDisplayBackligh

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

SI4286DY-T1-GE3

文件：1.09097 Mbytes

Page：9 Pages

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

详细参数

型号：
SI4286DY-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 40 Volts 7 Amps 2.9 Watts
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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