首页 >SI4447DY-T1-E3>规格书列表

零件编号下载&订购功能描述制造商&上传企业LOGO

SI4447DY-T1-E3

P-Channel 40 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

详细参数

  • 型号:

    SI4447DY-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 40V 4.5A 2.0W 54mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Vishay Siliconix
24+
8-SOIC
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
VISHAY/威世
2022+
SO-8
1
原厂授权代理 价格绝对优势
询价
VISHAY
2021+
SO-8
6800
原厂原装,欢迎咨询
询价
Bychip
23+
SOP8
10000
高品质替代,技术支持,参数选型
询价
VISHAY(威世)
23+
SOP-8
9555
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
询价
VISHAY
2022
SO-8
5880
原厂原装正品,价格超越代理
询价
VISHAY
08+
SOP8
3300
全新原装绝对自己公司现货特价!
询价
SI
07+
SOP8
91000
询价
VIS
23+
SOIC-8
32932
原装正品,假一罚十
询价
VISHAY
23+
8-SOIC
6680
全新原装优势
询价
更多SI4447DY-T1-E3供应商 更新时间2024-7-27 10:11:00