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SI4447DY-T1-E3中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号:
SI4447DY-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 40V 4.5A 2.0W 54mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SOP8 |
22+ |
TSOP |
30000 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
8-SO |
25000 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
SO-8 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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VISHAY/威世 |
标准封装 |
57598 |
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VISHAY |
23+24 |
SO-8 |
59340 |
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VISHAY |
08+ |
SOP8 |
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Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
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VISHAY/威世 |
22+ |
SO-8 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
SOP8 |
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VISHAY/威世 |
新年份 |
SOP-8 |
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