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SI4435DDY-T1-E3

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:217.7 Kbytes 页数:9 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI4435DDY-T1-E3

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.00318 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI4435DDY-T1-GE3

SO-8

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

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SI4438-B1C-FM

QFN-20

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Silicom Ltd.

上传:深圳市吉铭电子科技有限公司

SI4438-B1C-FMR

QFN-20

SILICOM

Silicom Ltd.

上传:深圳市吉铭电子科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    SI4435DDY-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V

  • RoHS:

    否

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI4435DDY-T1-E3供应商 更新时间2026-10-21 17:48:00