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SI4410DYPBF	文件：119.18 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰Power MOSFET Description This N-channel HEXFET® Power MOSFET is produced using International Rectifiers advanced HEXFET power MOSFET technology. The low onresistance and low gate charge inherent to this technology make this device ideal for low voltage or battery driven power conversion applications. The SO- 文件：119.18 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
SI4410DYPBF	文件：124.61 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET Description This N-channel HEXFET® Power MOSFET is produced using International Rectifiers advanced HEXFET power MOSFET technology. The low onresistance and low gate charge inherent to this technology make this device ideal for low voltage or battery driven power conversion applications. The SO- 文件：124.61 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
SI4410DYPBF	文件：124.61 Kbytes Page：8 Pages	Simple Drive Requirements 文件：124.61 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
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SI4410DYPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

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