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SI3850ADV-T1-GE3	文件：214.46 Kbytes Page：13 Pages	Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) 文件：214.46 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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详细参数

型号：
SI3850ADV-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 20V 1.4/0.96A 1.08W 300/410mohm @ 4.5V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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