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SI3590DV-T1-GE3中文资料PDF规格书
SI3590DV-T1-GE3规格书详情
FEATURES
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET® Power MOSFET
• 100 Rg Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
产品属性
- 型号：
SI3590DV-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 30V 3.0/2.0A 1.15W 77/170mohm @ 4.5V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2020+ |
TSOP-6 |
18800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势! |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
6-TSOP |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
询价 | |||
VISHAY |
2023+ |
TSOP-6 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
询价 | ||
Vishay(威世) |
2249+ |
TSOP-6 |
62905 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
NA/ |
3190 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
SOT23-6 |
54258 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
VISHAY |
2020+ |
TSOP-6 |
80000 |
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询价 | ||
VISHAY |
TSOP-6 |
78399 |
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询价 | |||
VISHAY/威世 |
TSOP6 |
7906200 |
询价 |
