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SI3900DV	文件：233.99 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SI3900DV	文件：92.52 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI3900DV	文件：201.99 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI3900DV	文件：204.17 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SI3900DV_V01	文件：233.99 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI3900DV-T1-E3	文件：514.179 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SI3900DV-T1-GE3	文件：514.62 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SI3900DV_08	文件：92.52 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI3900DV_09	文件：201.99 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
SI3900DV
制造商：
Vishay Intertechnologies
功能描述：
DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, 2.4A, Transistor
Polarity：
N Channel, Continuous Drai
制造商：
Vishay Siliconix
Polarity：
N Channel, Continuous Drain Current
Id：
2.4A, Drain Source Voltage
Vds：
20V, On Resistance
Rds(on)：
125mohm, Rds(on) Test Voltage
Vgs：
4.5V, Threshold Voltage
Vgs：
1.5V, No. of
Pins：
6 , RoHS
Compliant：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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