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|---|---|---|---|---|
SI3493DV-T1-E3 | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件:60.42 Kbytes 页数:5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
QFN | SILICON LABS/芯科 上传:深圳庞田科技有限公司 | SILICON LABS/芯科 | ||
TSOP6 | VISHAY | |||
SOP14 | SILICON LAB 上传:深圳庞田科技有限公司 | SILICON LAB | ||
MSOP10 | SILICON LAB 上传:深圳庞田科技有限公司 | SILICON LAB |
详细参数
- 型号:
SI3493DV-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 20V 7.0A 2.0W 27mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
SOT23-6 |
39517 |
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VISHAY/威世 |
2025+ |
TSOP-6 |
5000 |
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VISHAY |
24+ |
3000 |
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VISHAY |
2016+ |
SOT-163 |
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VIS |
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TSOP-6 |
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VISHAY |
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VIS |
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TSOP-6 |
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VISHAY |
25+ |
TSOP-6 |
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VISHAY |
19+ |
SOT23-6 |
8650 |
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VISHAY/威世 |
2022+ |
10244 |
全新原装 货期两周 |
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更新时间2026-2-1 14:14:00
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