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SI3586DV-T1-E3	文件：1.12758 Mbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：1.12758 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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SI4010-C2-GSRIC	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP14	SILICON LAB 上传：深圳庞田科技有限公司	SILICON LAB

详细参数

型号：
SI3586DV-T1-E3
功能描述：
MOSFET N&P-CH 20V(D-S)
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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