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SI4100DY-T1-E3	文件：610.6 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •ExtremelyLowQgdforSwitchingLosses •100RgTested •100AvalancheTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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SI4100DY-T1-E3

文件：610.6 Kbytes

Page：9 Pages

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •ExtremelyLowQgdforSwitchingLosses •100RgTested •100AvalancheTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

详细参数

型号：
SI4100DY-T1-E3
功能描述：
MOSFET 100V 6.8A 6.0W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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