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SI3586DV-T1-E3中文资料微碧半导体数据手册PDF规格书

SI3586DV-T1-E3
厂商型号

SI3586DV-T1-E3

功能描述

N- and P-Channel V (D-S) MOSFET

文件大小

1.12758 Mbytes

页面数量

10

生产厂商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企业简称

VBSEMI微碧半导体

中文名称

微碧半导体(台湾)有限公司官网

原厂标识
VBSEMI
数据手册

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更新时间

2025-8-2 15:01:00

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SI3586DV-T1-E3规格书详情

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition

• TrenchFET® Power MOSFET

• 100 Rg Tested

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

产品属性

  • 型号:

    SI3586DV-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET N&P-CH 20V(D-S)

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
25+
SOT23-6
30697
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VISHAY/威世
22+
6-TSOP
25000
只有原装原装,支持BOM配单
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全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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VISHAY
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SOT-163
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原装正品现货
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2021+
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SOT163
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