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SI3585DV-T1-GE3规格书详情
FEATURES
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
• TrenchFET® Power MOSFET
• 100 Rg Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
产品属性
- 型号:
SI3585DV-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 20V 2.4/1.8A 1.15W 125/200mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
6250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TSOP-6 |
501447 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2019+ |
SOT-163 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TSOP-6 |
9600 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
6-TSOP |
25000 |
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询价 | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
6-TSOP |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
6-TSOP |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
SOT23-6 |
39520 |
VISHAY/威世全新特价Si3585DV-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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VISHAY/威世 |
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SOT23-6 |
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VISHAY/威世 |
2223+ |
TSOP-6 |
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