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SI3590DV	文件：282.61 Kbytes Page：13 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Ultra low RDS(on) n- and p-channel for high efficiency • Optimized for high side / low side • Minimized conduction losses • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Portable devices inc 文件：282.61 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI3590DV	文件：9.67179 Mbytes Page：10 Pages	丝印：66G；Package：SOT23-6；N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Application DC-DC Converters. Load Switch. Power Management. 文件：9.67179 Mbytes 页数：10 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
SI3590DV	文件：233.66 Kbytes Page：13 Pages	N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：233.66 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI3590DV	文件：64.76 Kbytes Page：8 Pages	N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：64.76 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI3590DV	文件：124.2 Kbytes Page：9 Pages	N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：124.2 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI3590DV	文件：123.41 Kbytes Page：9 Pages	N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：123.41 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI3590DV	文件：232.4 Kbytes Page：13 Pages	N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：232.4 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI3590DV_V01	文件：282.61 Kbytes Page：13 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Ultra low RDS(on) n- and p-channel for high efficiency • Optimized for high side / low side • Minimized conduction losses • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Portable devices inc 文件：282.61 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI3590DV-T1-E3	文件：282.61 Kbytes Page：13 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Ultra low RDS(on) n- and p-channel for high efficiency • Optimized for high side / low side • Minimized conduction losses • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Portable devices inc 文件：282.61 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI3590DV-T1-GE3	文件：598.37 Kbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：598.37 Kbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
SI3590DV
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
N- and P-Channel 30-V(D-S) MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市益百分电子有限公司	SI3590Dv	VISHAY	23+	TSOP6	177000	SI3590DV-T1-GE3-VB是VBsemi品牌生产的双路N+P—Channel沟道功率MOSFET，采用SOT23-6封装。它集成了两个N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET，具有双向电流传输能力，适用于多种功率管理和开关电路设计。 ### 详细参数说明 - 电压额定值 (VDS):_±20V - **N沟道电流额定值 (ID	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	SI3590DV	VIS	23+	SOT-26	35923	原装正品,假一罚十	询价
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更多SI3590DV供应商更新时间2026-4-2 14:00:00

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