SI3590DvSI3590DV-T1-GE3-VB是VBsemi品牌生产的双路N+P—Channel沟道功率MOSFET，采用SOT23-6封装

原厂料号：SI3590Dv品牌：VISHAY

SI3590DV-T1-GE3-VB是VBsemi品牌生产的双路N+P—Channel沟道功率MOSFET，采用SOT23-6封装。它集成了两个N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET，具有双向电流传输能力，适用于多种功率管理和开关电路设计。

### 详细参数说明

- **电压额定值 (VDS):**_±20V

- **N沟道电流额定值 (ID):**_7A

- **P沟道电流额定值 (ID):**_-4.5A

- **N沟道导通电阻 (RDS(ON)):**_20mΩ @ VGS = 4.5V

- **P沟道导通电阻 (RDS(ON)):**_70mΩ @ VGS = 4.5V

- **阈值电压 (Vth):**_N沟道：0.71V，P沟道：-0.81V

- **最大栅极—源极电压 (VGS(max)):**_±20V

• 芯片型号：

  SI3590DV

• 规格书：

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• 企业简称：

  VISHAY【威世科技】详情

• 厂商全称：

  Vishay Siliconix

• 中文名称：

  威世科技半导体

• 内容页数：

  9 页

• 文件大小：

  124.2 kb

• 资料说明：

  N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET