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SI3590DV-T1-E3规格书详情
FEATURES
• TrenchFET® power MOSFET
• Ultra low RDS(on) n- and p-channel for high
efficiency
• Optimized for high side / low side
• Minimized conduction losses
• Material categorization: for definitions of
compliance please see www.vishay.com/doc?99912
APPLICATIONS
• Portable devices including PDAs, cellular phones, and
pagers
产品属性
- 型号：
SI3590DV-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET N&P-CH 30V(D-S)
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
SOT23-6 |
880000 |
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询价 | ||
VISHAY(威世) |
2024+ |
TSOP-6 |
500000 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TSOP-6 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2102+ |
SOT-23 |
607 |
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询价 | ||
VISHAY |
2024+ |
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询价 | ||
VISHAY |
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SOT23-6 |
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VISHAY/威世 |
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TSOP-6 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
SOT23-6 |
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TSOP-6 |
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VISHAY |
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TSOP-6 |
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