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SI4202DY-T1-GE3 | Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Synchronous Buck - Notebooks - Servers - STB 文件：255.43 Kbytes 页数：10 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
SI4202DY-T1-GE3 | Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Synchronous Buck - Notebooks - Servers - STB 文件：255.43 Kbytes 页数：10 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
SO-8 | VISHAY | |||
16-TSSOP | SI | SI | ||
QFN20 | SILICON | SILICON |
详细参数
- 型号：
SI4202DY-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET DUAL N-CH 20V(D-S)
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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