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SI3585CDV-T1-GE3	文件：236.02 Kbytes Page：16 Pages	N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFETs •100RgTested •Materialcategorization: Fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableDevices •DC/DCConverters •Drivers:Motor,Solenoid,Relay	VishayVishay Siliconix 威世科技
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SI3585CDV-T1-GE3

文件：236.02 Kbytes

Page：16 Pages

N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFETs •100RgTested •Materialcategorization: Fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableDevices •DC/DCConverters •Drivers:Motor,Solenoid,Relay

VishayVishay Siliconix

威世科技

SI3585CDV-T1-GE3

文件：1.12679 Mbytes

Page：10 Pages

N- and P-Channel V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

详细参数

型号：
SI3585CDV-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 20 Volts 3.9 Amps 1.4 Watts
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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