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SI3585CDV-T1-GE3

N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFETs • 100 Rg Tested • Material categorization:    For definitions of compliance please see    www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Load Switch for Portable Devices • DC/DC Converters • Drivers: Motor, Solenoid, Relay

文件:236.02 Kbytes 页数:16 Pages

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威世科技

SI3585CDV-T1-GE3

N- and P-Channel V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

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详细参数

  • 型号:

    SI3585CDV-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 20 Volts 3.9 Amps 1.4 Watts

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI3585CDV-T1-GE3供应商 更新时间2025-10-4 9:05:00