| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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ON/安森美TSOP6 |
7906200 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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FAIRCHILD/仙童SSOT-6L |
6400 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
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FSCSSOT-6L |
6400 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
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VISHAYSOT23-6 |
39045 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
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IRTSOP-6 |
100000 |
22+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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SILICONIXSOT-163 |
12000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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INFINEON/英飞凌TSOP6 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
13500 |
23+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
1790 |
0618+ |
原装正品假一赔万向鸿伟业现货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
1790 |
21+ |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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SII/精工SOT236 |
35680 |
23+ |
只做进口原装QQ:373621633 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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IRSOT23-6 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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IRTSOP-6 |
3500 |
16+/17+ |
原装正品现货供应56 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTSOP6 |
7906200 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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62907 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTSOP-6 |
58000 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTSOP-6 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
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ONSOT23 |
7044 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
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SHARPSOT23-6 |
257000 |
ROHS全新原装 |
东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销 |
SI3443DV采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI3443DV图片
SI3443DV-T1价格
SI3443DV-T1价格：￥0.4550品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI3443DV-T1多少钱，想知道SI3443DV-T1价格是多少？参考价：￥0.4550。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI3443DV-T1批发价格及采购报价，SI3443DV-T1销售排行榜及行情走势，SI3443DV-T1报价。
SI3443DV-T1资讯
SI3443DV-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI3443DV功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3443DV_NL制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
SI3443DV_Q功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3443DV-NF073制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P-CH MOSFET TSOP-6 20V 65MOHM @ 4.5V - Rail/Tube
SI3443DVPBF制造商:INTERFET 制造商全称:INTERFET 功能描述:HEXFET Power MOSFET
SI3443DV-T1功能描述:MOSFET 20V 4.4A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3443DV-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 4.4A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3443DVTR功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SI3443DV-TR制造商:International Rectifier
SI3443DVTRPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
