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详细参数
- 型号：
SI3443DV-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET 20V 4.4A 2W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
SOT23-6 |
39489 |
IR全新特价SI3443DV-T1-E3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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VISHAY |
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TSOP-6 |
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VISHAY |
20+ |
SOT23PB |
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原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询 |
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VISHAY/威世 |
2019+PB |
TSOP-6 |
6500 |
原装正品 可含税交易 |
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VISHAY |
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VISHAY |
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SOT-6 |
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SOT-89 |
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更新时间2026-1-30 17:32:00
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