| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)SOT-23-6 |
7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
10498 |
23+ |
原装现货特价热销 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TSOP6 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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SILICONIXSOT23-6 |
2800 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-163 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT23-6 |
13500 |
23+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
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深圳市华鑫创达电子有限公司1年
留言
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BAYLINEARSOT-89 |
10000 |
22+ |
公司原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
22850 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)SOT236 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-163 |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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Fairchild原厂封装 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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Vishay(威世)N/A |
33800 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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vishayNA |
3181 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILDSOT-163 |
39522 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOT23-6 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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VISHAY |
5000 |
有部份现货 |
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深圳市华康联电子科技有限公司12年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
23+ |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISTSOP-6 |
60000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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VISHAY/SILICONIXSOT-163SOT-23-6 |
66200 |
2008++ |
新进库存/原装 |
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SI3445DV图片
SI3445DV价格
SI3445DV价格：￥0.7800品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI3445DV多少钱，想知道SI3445DV价格是多少？参考价：￥0.7800。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI3445DV批发价格及采购报价，SI3445DV销售排行榜及行情走势，SI3445DV报价。
SI3445DV中文资料Alldatasheet PDF
更多SI3445DV功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3445DV_Q功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3445DV-T1功能描述:MOSFET 8V 5.6A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3445DV-T1-E3功能描述:MOSFET 8V 5.6A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3445DV-T1-GE3功能描述:MOSFET 8.0V 5.6A 2.0W 42mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
