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SI3445DV-T1-E3

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET     TrenchFET® Power MOSFETs 1.8-V Rated

文件:187.99 Kbytes 页数:9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI3445DV-T1-GE3

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch

文件:440.39 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

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SI3462-E01-GMIC

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QFN11

SILICON

SI3470A-A01-IMR

SKYWORKS SOLUTIONS

上传:天津市博通航睿技术有限公司

SKYWORKS SOLUTIONS

详细参数

  • 型号:

    SI3445DV-T1

  • 功能描述:

    MOSFET 8.0V 5.6A 2.0W 42mohm @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
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SOT23-6
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更多SI3445DV-T1供应商 更新时间2025-12-1 9:03:00