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SI3443DVTRPBF数据表
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 4.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
Qg-栅极电荷: 11 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.1 mm
长度: 3 mm
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
宽度: 1.5 mm
商标: Infineon / IR
下降时间: 72 ns
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFET
上升时间: 33 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
零件号别名: SP001563096
单位重量: 20 mg
