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SI3443BDV-T1-E3

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch

文件:449.12 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI3443BDV-T1-E3

P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

文件:206.37 Kbytes 页数:10 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI3443DDV-T1-GE3

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

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SI3462-E01-GMIC

QFN11

SILICON LABS/芯科

上传:深圳庞田科技有限公司

SILICON LABS/芯科

SI3462-E01-GMR

QFN11

SILICON

详细参数

  • 型号:

    SI3443BDV-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 4.4A 2W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI3443BDV-T1-E3供应商 更新时间2026-1-31 8:18:00