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|---|---|---|---|---|
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETusesFairchild’slowvoltagePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagementapplications. Features •–5.5A,–20V.RDS(ON)=33mΩ@VGS=–4.5V RDS(ON)=43mΩ@VGS=–2.5V | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | ||
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET P-Channel1.8-V(G-S)MOSFET TrenchFET®PowerMOSFETs1.8-VRated | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET P-Channel1.8-V(G-S)MOSFET TrenchFET®PowerMOSFETs1.8-VRated | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay |
详细参数
- 型号：
SI3445
- 功能描述：
MOSFET 8.0V 5.8A 2.0W 42mohm @ 4.5V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
TSOP-6 |
47830 |
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VISHAY/威世 |
2019+ |
SOT-163 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
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NK/南科功率 |
TSOP-6 |
2255 |
国产南科平替供应大量 |
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VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TSOP-6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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VISHAY |
1503+ |
TSOP-6 |
3000 |
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询价 | ||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TSOP-6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY/威世通 |
21+ |
TSOP-6 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
38550 |
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VISHAY/威世 |
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6-TSOP |
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V |
23+ |
TSOP-6 |
8560 |
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