SI3445DV中文资料P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET数据手册ONSEMI规格书
技术参数
- 型号:
SI3445DV
- 功能描述:
MOSFET SSOT6 SINGLE PCH
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
vishay |
23+ |
NA |
3181 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2023+ |
SOT23-6 |
8635 |
全新原装正品,优势价格 |
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VISHAY |
00+ |
SOT23-6 |
6000 |
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VISHAY/威世 |
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SOT-163 |
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VISHAY/威世 |
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SOT23-6 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY |
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SOT23-6 |
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SI |
25+ |
SOT23 |
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VISH |
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CAP |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
SOT23-6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |