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SI3464DV-T1-GE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching

文件:476.23 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI3464DV-T1-GE3

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件:235.1 Kbytes 页数:11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SI3464DV-T1-GE3

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:256.12 Kbytes 页数:11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SI3470A-A01-IMR

SKYWORKS SOLUTIONS

SKYWORKS SOLUTIONS

上传:天津市博通航睿技术有限公司

SKYWORKS SOLUTIONS

SI3500-A-GMIC

SILICON LABS/芯科
QFN

SILICON LABS/芯科

上传:深圳庞田科技有限公司

SILICON LABS/芯科

详细参数

  • 型号:

    SI3464DV-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    TrenchFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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更多SI3464DV-T1-GE3供应商 更新时间2025-10-4 9:05:00