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SI3442BDV-T1-E3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching

文件:476.81 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI3442BDV-T1-E3

N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

文件:61.52 Kbytes 页数:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SI3442BDV-T1-E3

N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

文件:112.07 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SI3443DDV-T1-GE3

VISHAY
TSOP-6

VishayVishay Siliconix

威世科技

上传:深圳市金芯阳科技有限公司

SI3462-E01-GMIC

SILICON LABS/芯科
QFN11

SILICON LABS/芯科

上传:深圳庞田科技有限公司

SILICON LABS/芯科

详细参数

  • 型号:

    SI3442BDV-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 3A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SI3442BDV-T1-E3供应商 更新时间2025-10-4 9:05:00