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SCTWA90N65G2V-4中文资料Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package数据手册ST规格书
SCTWA90N65G2V-4规格书详情
描述 Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
特性 Features
• High speed switching performance
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Extremely low gate charge and input capacitances
• Source sensing pin for increased efficiency
技术参数
- 制造商编号
：SCTWA90N65G2V-4
- 生产厂家
：ST
- Package
：HiP247-4
- Grade
：Industrial
- VDSS_nom(V)
：650
- RDS(on)_max(mΩ)
：24
- Drain Current (Dc)_max(A)
：119
- PTOT_max(W)
：565
- Qg_typ(nC)
：157
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MINI |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST(意法半导体) |
20+ |
TO-247-3 |
30 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
MINI |
22+ |
NA |
5000 |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
TO-247-3 |
7499 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
MOTOROAL |
16+ |
SOT-153 |
10000 |
进口原装现货/价格优势! |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-247-4 |
2400 |
只做原装正品 |
询价 | ||
SUPERCHIP |
25+ |
DIP-14 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-247 |
7814 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
23+ |
原封原装 TO247 |
10000 |
ST 原装供应MOSFET N-CH SiC 650 |
询价 |
