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SCTWA90N65G2V-4规格书详情
描述 Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
特性 Features
• High speed switching performance
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Extremely low gate charge and input capacitances
• Source sensing pin for increased efficiency
技术参数
- 制造商编号
：SCTWA90N65G2V-4
- 生产厂家
：ST
- Package
：HiP247-4
- Grade
：Industrial
- VDSS_nom(V)
：650
- RDS(on)_max(mΩ)
：24
- Drain Current (Dc)_max(A)
：119
- PTOT_max(W)
：565
- Qg_typ(nC)
：157
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
20+ |
TO-247-3 |
30 |
询价 | |||
MOTOROAL |
22+ |
SOT-153 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
TO-247-3 |
7499 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
SC |
23+ |
DIP |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
MINI |
2021+ |
3000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
MINI |
22+ |
NA |
5000 |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-247 |
7814 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
MOTOROAL |
17+ |
SOT-153 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
24+ |
DIP |
41 |
自己现货 |
询价 |
