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SCT20N120AG

丝印:SCT20N120AG;Package:HiP247;Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 m廓 (typ., TJ=150 째C), in an HiP247 package

文件:487.52 Kbytes 页数:13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

SCT20N120AG

丝印:SCT20N120AG;Package:HiP247;Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 m廓 (typ., TJ=150 째C), in an HiP247 package

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更多SCT20N120AG供应商 更新时间2025-8-14 17:01:00