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SCT40N12G24AG	文件：505.68 Kbytes Page：12 Pages	型号：SCTWA40N12G24AG；Package：HiP247-4；Automotive‑grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mΩ typ., 33 A in an HiP247‑4 package Features •AEC-Q101qualified •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Extremelylowgatechargeandinputcapacitance •Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) •Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications •Maininverter(electrictraction) •	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

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SCT40N12G24AG

文件：505.68 Kbytes

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型号：SCTWA40N12G24AG；Package：HiP247-4；Automotive‑grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mΩ typ., 33 A in an HiP247‑4 package

Features •AEC-Q101qualified •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Extremelylowgatechargeandinputcapacitance •Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) •Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications •Maininverter(electrictraction) •

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