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SCT70W120G34	文件：499.71 Kbytes Page：12 Pages	型号：SCT070W120G3-4；Package：HiP247-4；Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package Features •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •VerylowRDS(on)overtheentiretemperaturerange •Highspeedswitchingperformances •Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) •Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications •Switchingmodepow	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

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SCT70W120G34

文件：499.71 Kbytes

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型号：SCT070W120G3-4；Package：HiP247-4；Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package

Features •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •VerylowRDS(on)overtheentiretemperaturerange •Highspeedswitchingperformances •Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) •Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications •Switchingmodepow

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更多SCT70W120G34供应商更新时间2025-8-3 15:20:00

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