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SCT070W120G3-4中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

SCT070W120G3-4
厂商型号

SCT070W120G3-4

功能描述

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package

丝印标识

SCT70W120G34

封装外壳

HiP247-4

文件大小

499.71 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-30 9:38:00

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SCT070W120G3-4规格书详情

Features

• Very fast and robust intrinsic body diode

• Very low RDS(on) over the entire temperature range

• High speed switching performances

• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

• Source sensing pin for increased efficiency

Applications

• Switching mode power supply

• Power supply for renewable energy systems

• DC-DC converters

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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