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SCT20N120H	文件：686.12 Kbytes Page：16 Pages	Marking：SCT20N120；Package：H2PAK-2；Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mΩ (typ., TJ=150 °C), in an H²PAK-2 package Features •Verytightvariationofon-resistancevs.temperature •Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=175°C) •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Lowcapacitance Applications •Solarinverters,UPS •Motordrives •HighvoltageDC-DCconverters •Switch	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SCT20N120AG	文件：487.52 Kbytes Page：13 Pages	Marking：SCT20N120AG；Package：HiP247；Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 m廓 (typ., TJ=150 째C), in an HiP247 package	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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Marking：SCT20N120；Package：H2PAK-2；Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mΩ (typ., TJ=150 °C), in an H²PAK-2 package

Features •Verytightvariationofon-resistancevs.temperature •Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=175°C) •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Lowcapacitance Applications •Solarinverters,UPS •Motordrives •HighvoltageDC-DCconverters •Switch

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SCT20N120AG

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Marking：SCT20N120AG；Package：HiP247；Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 m廓 (typ., TJ=150 째C), in an HiP247 package

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更多SCT20N120供应商更新时间2025-6-28 14:14:00

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