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SCTW35N65G2VAG

丝印:SCT35N65G2VAG;Package:HiP247;Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package

Features • AEC-Q101 qualified • Very fast and robust intrinsic body diode • Low capacitance Applications • Switching mode power supply • EV chargers • DC-DC converters Description This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generatio

文件:206.14 Kbytes 页数:12 Pages

STMICROELECTRONICS

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更多SCT35N65G2VAG供应商 更新时间2025-8-13 16:13:00