| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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Marking：SCT35N65G2VAG；Package：HiP247；Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package Features •AEC-Q101qualified •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Lowcapacitance Applications •Switchingmodepowersupply •EVchargers •DC-DCconverters Description ThissiliconcarbidePowerMOSFETdevicehasbeendevelopedusingST’s advancedandinnovative2ndgeneratio | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS |
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