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RJP30K3DPP-M0中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

RJP30K3DPP-M0
厂商型号

RJP30K3DPP-M0

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

文件大小

99.88 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 22:59:00

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RJP30K3DPP-M0规格书详情

Features

• Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

• Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.1V typ

• High speed switching tr = 90 ns typ, tf = 250 ns typ

• Low leak current ICES = 1µA max

• Isolated package TO-220FL

产品属性

  • 型号:

    RJP30K3DPP-M0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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